·描述双工位式真空烧结炉，双工位式真空烧结炉，双工位式真空烧结炉，真空烧结炉;双工位立式真空烧结炉;立式真空烧结炉;单、双管卧式真空烧结炉;四氟烧结炉;陶瓷烧结炉;链（带）式烧结炉;全功能微控扩散系统;真空扩散炉;系列高温扩散炉;烘焙排腊炉;单管氢气炉;陶瓷金属化氢气烧结炉;马弗炉;消磁炉;全钽玻璃绝缘子熔封炉;PFJ-2型平行缝焊机;Y80-2/ RZQ加压检漏台;WDNI系列高精度电脑温度控制系统;WDNX多功能温度控制系统
L4811-II-2/RZQ双工位立式真空烧结炉是为满足半导体器件和磁性材料行业的大批量、高生产率的要求而设计的一种较先进的烧结设备，主要用于管芯和管座的烧结，也可以做扩散、退火设备用。
主要技术指标：
1工作温度：800℃～1200℃
2单点温度控制精度：±2℃/24h
3恒温区长度：400mm
4*高升温功率：22KW
5升温时间：≤50分钟（室温升至1000℃)
6真空电炉加热功率：1KW
7设备总功率：28KW
8真空室尺寸：φ350mm，高600mm
9真空度：3 x 10-3Pa
10抽真空时间：<1h（注：初始开机时间），连续工作<20min
11主机尺寸：2050 x 1050 x 2700mm（长x宽x高）
12电控箱尺寸：750 x 850 x 1800（mm）
13供电电源：三相380V
14主机重量：2000Kg
·描述该真空烧结退火炉是生产半导体器件和磁性材料烧结、退火工序中的重要设备。
主要技术指标：
1、工作温度：400～1250℃
2、单点温度控制精度≤±1℃/24h
3、恒温区长度：≥200mm/±1℃
4、升温功率：≤5KVA
5、升温时间：（室温至1050℃)≤75min
6、保温功率：≤3KVA
7、重新定值重复性：≤±1℃
8、重开机重复性：≤±1℃
冷态真空度：≤5 x 10-3Pa（打开扩散泵门后15min）
9、炉体传动升降分：自动及点动，速度无级调速，自动烧结烧结为0～30min
10、真空室尺寸：φ80㎜～φ300mm
11、设备外形尺寸：1703 x 703 x 2450 (mm)(长x宽x高）
12、重量：约600Kg
13、工作条件：
(1)环境温度：10～45℃
(2)相对湿度：≤85%
(3)电网电压：220V±10%～380V
